In dieser Arbeit werden verschiedene Mikrowellenplasmaunterstützte Prozesse untersucht. Es werden Ätz- und Abscheideprozesse erforscht, die in der Halbleitertechnologie nötig sind. Dabei wird darauf geachtet, dass die Prozesstemperatur sehr gering ist. Durch die in der Arbeit untersuchten plasmaunterstützten Prozesse, kann eine epitaktische Siliziumschicht bereits bei 450 °C abgeschieden werden.
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