Fabrication de silicium nanoporeux

Les caractéristiques de la couche de Si poreux formée par la gravure chimique améliorée par l'argent de p-Si dans une solution aqueuse HF/HNO3 sont influencées par la concentration d'ions Ag dans le bain de placage, les concentrations de l'agent de gravure (HF) et de l'agent oxydant (HNO3), et le temps de gravure du substrat de Si. Les résultats du MEB ont confirmé que le dépôt d'ions argent à partir d'une solution d'AgNO3 de 1,0 × 10-3 M sur le p-Si avant la gravure chimique dans HF/HNO3 a produit des PSL uniformes par rapport aux autres concentrations de nitrate d'argent. Les données d'impédance ont révélé que lorsque les concentrations de HF et d'acide nitrique augmentent, la dissolution du Si augmente également. La fabrication de PSL avec des trous ronds réguliers et de petit diamètre a été plus rapide avec la gravure chimique de p-Si modifiée par l'Ag qu'avec la gravure traditionnelle dans la même solution de gravure, qui a produit des pores d'une largeur considérable. L'absence de pic d'argent dans les mesures EDX pour le PSL résultant de la gravure chimique avec résistance à l'Ag suggère que l'Ag déposé s'est entièrement dissous dans la solution après la gravure. Les résultats du MEB et de l'AFM ont révélé que le diamètre des nanopores et la rugosité de la surface augmentaient avec la durée de la gravure.